问题:半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素()、()半导体、固溶半导体三大类。...
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问题:例举并解释5个进行在线参数测试的理由。...
问题:晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机械性能、化学性能都相同。()...
问题:解释水的去离子化。在什么电阻率级别下水被认为已经去离子化?...
问题:光刻和刻蚀的目的是什么?...
问题:有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?...
问题:离子注入前一般需要先生长氧化层,其目的是什么?...
问题:在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?...
问题:什么叫晶体缺陷?...
问题:给出半导体质量测量的定义。例出在集成电路制造中12种不同的质量测量。...
问题:哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀多晶硅的三个步骤。...
问题:单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列,并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。()...
问题:例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。...
问题:可靠性筛选可以剔除早期失效的产品。()...
问题:迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()...
问题:简述外延薄膜的生长过程,其最显著的特征是什么?...
问题:双极晶体管的高频参数是()。A、hFEVcesB、BVceC、ftfm...
问题:离子注入是借其()强行进入靶材料中的一个()物理过程。...
问题:低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便,但膜不够致密,耐潮性和抗离子沾污能力较差。()...
问题:描述在硅片厂中使用的去离子水的概念。...